本文是学习GB-T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了直径300 mm、p 型、\<100>晶向、电阻率0.5Ω ·cm～20Ω ·cm
规格的硅单晶抛光片
的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm
直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足
集成电路IC 用线宽90 nm 技术需求的衬底片。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向 X 射线测量方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19922 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射 X 光荧光光谱测试方法
GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 29504 300 mm 硅单晶
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29508 300 mm 硅单晶切割片和磨削片
YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
SEMI MF 1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法
GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
GB/T 29506—2013
硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合 GB/T
29504 的要求。
硅抛光片的几何参数应符合表1的要求。硅抛光片所有在表1中未列出的参数规格，由供需双方
协商解决。
表 1 300 mm 硅抛光片几何尺寸参数及表面质量
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4.3.1 晶体完整性应符合 GB/T 29504 的要求。
4.3.2
氧化诱生缺陷与晶体完整性、抛光工艺等诸多因素有关，氧化诱生缺陷指标由供需双方协商
确定。
硅抛光片的表面取向及表面取向偏离应符合 GB/T 29508 的要求。
硅抛光片的切口基准轴取向及尺寸应符合 GB/T 29508 的要求。
硅抛光片的直径及直径允许公差应符合 GB/T 29508 的规定。
GB/T 29506—2013
硅抛光片表面质量应符合表2的规定。
表 2 抛光片表面质量目检要求
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硅片经边缘倒角及边缘抛光，抛光处理后的边缘轮廓应符合 YS/T26
的要求，特殊要求可由供需
双方协商确定。
5.1 硅抛光片的导电类型测量按GB/T 1550进行。
5.2 硅抛光片电阻率测量按 GB/T 6616 进行。
5.3 硅抛光片径向电阻率变化的测量按GB/T 11073进行。
5.4 硅抛光片间隙氧含量测量按 GB/T 1557进行。
5.5 硅抛光片代位碳含量测量按GB/T 1558 进行。
5.6 硅抛光片厚度、总厚度变化及总平整度测量按 GB/T 29507进行。
5.7 硅抛光片局部平整度测量按GB/T 19922 进行。
GB/T 29506—2013
5.8 硅抛光片翘曲度测量按 SEMI MF 1390 进行。
5.9 硅抛光片局部光散射体测量按GB/T 19921 进行。
5.10 硅抛光片表面金属含量测量按 GB/T
24578进行，或按供需双方协商的方法进行。
5.11 硅抛光片体内金属(铁)含量测量按 YS/T 679 进行。
5.12 硅抛光片的晶体完整性测量按 GB/T 1554 进行。
5.13 硅抛光片氧化诱生缺陷检验按GB/T 4058 进行。
5.14 硅抛光片表面取向量按 GB/T 1555 进行。
5.15 硅抛光片切口基准轴取向测量按GB/T 13388进行。
5.16 硅抛光片切口尺寸测量按 GB/T 26067 进行。
5.17 硅抛光片直径测量按 GB/T 14140 进行。
5.18 硅抛光片表面质量检验按GB/T6624 进行。
5.19 硅抛光片边缘轮廓测量按 YS/T 26 进行。
6.1.1
产品应由技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保
证书。
6.1.2
需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符
时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。
硅抛光片以批的形式提交验收，每批应由按照用户要求的同一规格的硅抛光片组成。
6.3.1
每批抛光片抽检的项目有：直径、晶向及其偏离度、切口基准轴取向、切口尺寸、导电类型、电阻
率、径向电阻率变化、间隙氧含量、替位碳含量、硅抛光片厚度、总厚度变化、翘曲度、总平整度、目检表面
质量、氧化诱生缺陷、边缘轮廓。
6.3.2
局部平整度、局部光散射体尺寸及数量、表面金属沾污、体金属(铁)含量等项目由供需双方协商
后进行检验。
6.4.1 对于非破坏性检测项目，检测按 GB/T
供需双方协商确定的抽样方案进行。
6.4.2 对于破坏性检测项目，检测按 GB/T 需双方协商确定的抽样方案进行。
2828.1 一 般检验水平Ⅱ,正常检验 一 次抽样方案，或由
2828.1 特殊检验水平 S-2, 正常检验一 次抽样方案，或由供
6.5.1 导电类型、晶向检验若有一片不合格，则该批产品为不合格。
6.5.2 其他检验项目可以按照6.4进行抽检，接收质量限(AQL)
见表3。也可以对产品进行全数检
验，或按供需双方协商的方法进行。
GB/T 29506—2013
表 3 硅抛光片检验项目及接收质量限
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7.1
硅抛光片应在洁净间内装入专用的抛光片装运盒，外用洁净的塑料袋和防潮、防静电的铝箔袋依
次密封，双层包装。每个抛光片盒应贴有产品标签。标签内容应包括：
a) 产品名称(牌号);
b) 产品规格；
c) 片数；
d) 产品批号；
e) 出厂日期。
7.2
经双层包装的片盒再装入一定规格的外包装箱，并采取防震、防潮措施。包装箱内应有装箱单，外
GB/T 29506—2013
侧应有"小心轻放”、"防潮"、"易碎"、"防腐"等标识，并标明：
a) 需方名称、地点；
b) 产品名称、牌号；
c) 产品片数及重量；
d) 供方名称。
7.3 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震、防潮措施。
7.4 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。
每批产品应有质量证明书，其内容应包括：
a) 供方名称；
b) 产品名称及规格、牌号；
c) 产品批号；
d) 产品片数(盒数);
e) 各项参数检验结果和检验部门的印记；
f) 出厂日期。
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